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PD- 93814A
IRFR13N20D
SMPS MOSFET
IRFU13N20D
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
200V
R DS(on) max
0.235 ?
I D
13A
Benefits
l
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
l
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR13N20D
I-Pak
IRFU13N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
13
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
9.2
52
110
0.71
± 30
2.2
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converters
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www.irf.com
1
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IRFR13N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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